或取代当前非易失性内存技术 Crossbar RRAM正式进军中国存储市场

　　【赛迪网讯】昨日，阻变式存储器(rram)技术公司crossbar，在北京正式宣布进军中国市场，并在上海设立新的办事处。目前，crossbar rram能够在邮票大小的芯片上实现太字节(terabyte)存储，而足够低的功耗可大规模运用于物联网，从而易于被定制到一系列应用中。从可穿戴应用的soc嵌入式存储，到云数据中心的超高密度ssd。crossbar rram技术被广泛视为极有可能取代当前非易失性内存技术的有力竞争者，潜在市场价值600亿美元。

　　crossbar rram正式进军中国存储市场

　　crossbar公司首席执行官george minassian博士表示：“中国是电子行业发展最快的市场，亦是绝大多数产品的制造基地。凭借我们在中国深厚的风投实力和资源、新成立的本地办事处以及行业领先的技术，我们相信将在中国消费电子、企业、移动、工业和物联网等市场掀起新一轮电子创新浪潮。此外，我们近期与中芯国际已达成合作，将我们的嵌入式技术用于中芯国际40nm甚至更高工艺，有望使新的应用开发受益。”

　　crossbar rram

　　通过集成更大的片上非易失性阻变式存储器(rram)到智能卡、机顶盒、ip相机和监视器等一系列应用，crossbar的客户现正设计并推出低功耗、高安全性的解决方案。

　　minassian博士还表示：“物联网和可穿戴设备市场需要节能、安全和低成本的微控制器。crossbar rram技术能提供片上编程和数据存储的嵌入式内存模块，也可单独作为eeprom内存，将是满足这些需求的理想解决方案。”

　　技术讲解

　　crossbar技术首先由中国出生的卢伟(dr. wei d. lu)博士研发，他也是crossbar的首席科学家和联合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位，以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在rram领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。

　　crossbar技术可在一个200平方毫米的芯片上存储数个tb的数据，能够将海量信息，例如250小时的高清电影，存储在比邮票还小的集成电路上，并进行回放。凭借简单的三层结构，堆叠性和cmos兼容性，crossbar能在最新的技术节点下将逻辑和存储集成到单芯片上，实现传统或其他非易失性内存技术无可比拟的存储容量。crossbar拥有大容量和快速的优势，并将成为下一代企业和数据中心存储系统的理想选择。